Samsung: Παγκόσμια διάκριση για την περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

06:58 27/11/2019 - Πηγή: TechPress

 Η Samsung Electronics Co., Ltd. ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust.

Η 512GB eUFS 3.0 της Samsung

είναι η πρώτη μνήμη smartphones στη βιομηχανία που αναγνωρίζεται από έναν διεθνή οργανισμό πιστοποιήσεων, το οποίο επιτεύχθηκε χάρη στη εντατική προσπάθεια της εταιρείας για τη μείωση των αποτυπωμάτων άνθρακα και νερού. 

Ο διεθνώς αναγνωρισμένος μη κερδοσκοπικός οργανισμός Carbon Trust, ιδρύθηκε από τη βρετανική κυβέρνηση με σκοπό να επιταχύνει τη μετάβαση προς μια βιώσιμη, με χαμηλό αντίκτυπο άνθρακα, βιομηχανία. Κάθε πιστοποίηση από τον Carbon Trust θεσπίστηκε μετά από ενδελεχή αξιολόγηση του περιβαλλοντικού αντίκτυπου των εκπομπών άνθρακα και της χρήσης νερού πριν αλλά και καθ’ όλη τη διάρκεια του κύκλου παραγωγής, κατά τα διεθνή πρότυπα*.  

«Είμαστε ιδιαίτερα ικανοποιημένοι που οι καινοτόμες τεχνολογίες μνήμης μας αναδεικνύουν την ικανότητά μας να ξεπερνάμε πιο σύνθετες προκλήσεις σε επίπεδο διαδικασιών, και αναγνωρίζονται για την περιβαλλοντική βιωσιμότητά τους» δήλωσε ο Chanhoon Park, Executive Vice President και Head του Giheung Hwaseong Pyeongtaek Complex στη Samsung Electronics. «Η Samsung θα συνεχίσει να δημιουργεί λύσεις μνήμης που παρέχουν τα υψηλότερα επίπεδα ταχύτητας, χωρητικότητας και εξοικονόμησης ενέργειας σε ιδιαιτέρως μικρή κλίμακα μεγεθών για τους τελικούς χρήστες σε όλο τον κόσμο».  

Οι καινοτομίες ημιαγωγών της Samsung για βιώσιμη παραγωγή

Βασισμένη στην μνήμη πέμπτης γενιάς (90+ επιπέδων) V-NAND, η 512GB eUFS 3.0 παρέχει βέλτιστη ταχύτητα, εξοικονόμηση ενέργειας και παραγωγικότητα προσφέροντας τη διπλάσια χωρητικότητα και κατά 2,1 φορές μεγαλύτερη διαδοχική ταχύτητα σε σύγκριση με την μνήμη τέταρτης γενιάς (64 επιπέδων) V-NAND-based 256GB eUFS 2,1. Ταυτόχρονα, απαιτεί μειωμένη λειτουργική τάση κατά 30 τοις εκατό. Επιπρόσθετα, η πέμπτης γενιάς V-NAND αξιοποιεί μια μοναδική τεχνολογία χάραξης μετάλλου που διαπερνά περισσότερα από 90 επίπεδα κελιών με ένα μόνο ακριβές βήμα. Κάτι τέτοιο επιτρέπει στο chip να έχει σχεδόν 1,5 φορές περισσότερα στοιχισμένα επίπεδα από ότι η προηγούμενη γενιά, επιτυγχάνοντας μείωση του μεγέθους του κατά 25 τοις εκατό. Τέτοιου είδους καινοτομίες βοηθούν στην ελαχιστοποίηση της συνολικής αύξησης των αποτυπωμάτων του άνθρακα και του νερού για κάθε επίπεδο κελιού V-NAND.

Επίσης, η Samsung απέκτησε σήμανση περιβαλλοντικής δήλωσης προϊόντος (EPD) για την μνήμη ‘1-terabyte (TB) eUFS 2,1 και την πέμπτης γενιάς 512-gigabit (Gb) V-NAND από το Υπουργείο Περιβάλλοντος της Κορέας.    

Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει ενεργά την υιοθέτηση των προαναφερθέντων τύπων μνήμης υψηλών επιπέδων βιωσιμότητας, χωρητικότητας, και ποιότητας για πολλές περισσότερες ναυαρχίδες συσκευών smartphones και να ενισχύσει περαιτέρω τις διεθνείς συνεργασίες της για τις τεχνολογίες μνήμης επόμενης γενιάς. 

* PAS 2050 για το αποτύπωμα άνθρακα και ISO 14046 για το αποτύπωμα νερού