H Samsung διπλασιάζει την ταχύτητα αποθήκευσης του smartphone ξεκινώντας τη μαζική παραγωγή του πρωτοποριακού 512GB eUFS 3.0

Τροφοδοτούμενο από το V-NAND 5ης γενιάς της Samsung, η νέα μνήμη ανταποκρίνεται στις τελευταίες προδιαγραφές της βιομηχανίας για Universal Flash Storage με 20 φορές μεγαλύτερη ταχύτητα από μια τυπική microSD κάρτα.
Keywords
Τυχαία Θέματα