SK hynix: NAND flash με χωρητικότητα 1Tb στην παραγωγή

09:32 27/6/2019 - Πηγή: TechBlog

Techblog.gr

Η SK hynix ανακοίνωσε σήμερα ότι ξεκινάει την μαζική παραγωγή των 1Tb NAND chip χρησιμοποιώντας την 4D πλατφόρμα ώστε να προσφέρει στην αγορά μνήμες με μεγαλύτερη χωρητικότητα αποθήκευσης.

Το 128-layer TCL 4D NAND chip προσφέρει την μεγαλύτερη κάθετη στοίβαξη της βιομηχανίας με περισσότερα από 360 δισεκαοτομμύρια NAND cell με το καθένα να μπορεί αποθηκεύει 3 bit. Αποτέλεσμα αυτής της στοίβαξης είναι η αύξηση

των bit ανά wafer κατά 40% σε σχέση με την 96-layer 4D NAND που κυκλοφόρησε πριν 8 μήνες.

Η αρχιτεκτονική των τεσσάρων επιπέδων ανά chip επιτρέπει ρυθμό μεταφοράς δεδομένων, 1400 megabits ανά δευτερόλεπτο στα 1.2 volt. Με την 128-layer 4D NAND τεχνολογία, ο αριθμός των NAND chip που θα χρειάζονται για την 5G τεχνολογία θα μειωθεί στο μισό και έτσι οι κατασκευαστές θα μπορέσουν να δημιουργήσουν λεπτότερα smartphone. Πιο συγκεκριμένα, ένας κατασκευαστής θα μπορεί να δημιουργήσει ένα 2-terabyte 5G smartphone με μόλις 16 128-layer 4D NAND chip.

Το κόστος μετάβασης από τα 96 layers στα 128 layers θα μπορούσε να μειωθεί έως και 60% και σύμφωνα με πηγή, ο Νοτιοκορέατικος κατασκευαστής θα κυκλοφορήσει τα πρώτα 128-layer-triple-level cell 1Tb 4D NAND chip  κατά το δεύτερο μισό αυτού του χρόνου.