Η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή chips χρησιμοποιώντας 2ης γενιάς μέθοδο 10nm FinFET (10LPP)

14:33 1/12/2017 - Πηγή: Insomnia

Η Samsung Electronics ανακοίνωσε ότι το τμήμα κατασκευής ημιαγωγών της ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή προϊόντων SoC (System-on-Chips) χρησιμοποιώντας τη 2η γενιά της κατασκευαστικής μεθόδου10nm FinFET, 10LPP (Low Power Plus).

Η 2ης γενιάς κατασκευαστική μέθοδος 10LPP επιτρέπει την αύξηση της απόδοσης κατά 10% ή τη μείωση της κατανάλωσης κατά 15% σε σύγκριση με την πρώτη γενιά της μεθόδου 10nm, 10LPE (Low Power

Early).
Καθώς η νέα κατασκευαστική μέθοδος αποτελεί εξέλιξη της ήδη αποδεδειγμένης τεχνολογίας 10LPE, προσφέρει σημαντικά ανταγωνιστικά πλεονεκτήματα, με την μείωση του χρονικού διαστήματος που απαιτείται από την ανάπτυξη ως την διαδικασία μαζικής παραγωγής ενός chip, ενώ επιπλέον προσφέρει υψηλότερη απόδοση στην αρχική παραγωγή.

Τα SoCs (System-on-Chips) που θα κατασκευαστούν χρησιμοποιώντας μέθοδο 10LPP θα χρησιμοποιηθούν σε συσκευές που είναι προγραμματισμένο να λανσαριστούν στις αρχές της νέας χρονιάς και αναμένεται να καταστούν ευρύτερα διαθέσιμες κατά τη διάρκεια του έτους.

Η Samsung επίσης ανακοίνωσε ότι η πιο σύγχρονη γραμμή παραγωγής της, S3, που βρίσκεται στην Hwaseong, στην Korea είναι έτοιμη να ανεβάσει το ρυθμό της χρησιμοποιώντας κατασκευαστικές μεθόδους 10nm και κάτω (όπως π.χ στα 8nm που δεν έχει σημαντικές διαφορές).
To S3 είναι το τρίο εργοστάσιο του τμήματος κατασκευής ημιαγωγών της Samsung, μετά το S1 στην Giheung, στη Ν. Κορέα και στο S2, στο Austin, των ΗΠΑ. H μέθοδος 7nm FinFET με EUV (Extreme Ultra Violet) θα χρησιμοποιηθεί πρώτα επίσης στην παραγωγή στο S3.

Site: TechPowerUp